Samsung Electronics запускает первый из трех крупных проектов, срок производства сокращен на год, массовое производство седьмого поколения HBM начнется в 2028 году

Председатель Samsung Electronics Ли Чжэ Ён объявил о планах по созданию в промышленном парке Вонъян в Южной Корее, расположенном в провинции Чунгчхон-Намдо, основного производственного центра для следующего поколения высокоскоростной памяти (HBM). В ответ на стремительно растущий спрос на чипы ИИ, Samsung Electronics планирует запустить новый завод HBM в Вонъяне на год раньше, чем планировалось, в июне 2028 года.

12 числа на церемонии начала строительства завода HBM в Вонъяне Ли Чжэ Ён заявил: "Мы преобразуем этот парк, который изначально был сосредоточен на простой сборке и тестировании универсальных чипов, в высококлассный центр HBM, который станет сердцем полупроводников для ИИ."

Церемония открытия прошла под названием "Церемония начала крупных проектов Чунгчхон", которую возглавил президент Южной Кореи Ли Чжэ Мён. Это первый из трех крупных проектов, продвигаемых группой Samsung, который начал свою реализацию, прошло 133 дня с момента объявления инвестиционного плана в регионе Чунгчхон 2 июля. Среди присутствующих гостей были вице-президент подразделения решений для устройств (DS) Samsung Electronics Чон Ён Хён, президент по стратегическому управлению подразделения DS Ким Ён Хван, президент Samsung Display Ли Чжун, президент Samsung SDI Чхве Чжусан и президент Samsung Electro-Mechanics Чжан Дэ Хян.

На линии 5 в промышленном парке Вонъян будет построен чистый цех общей площадью около 9400 пх. Samsung Electronics планирует массовое производство седьмого поколения HBM — HBM4E и других продуктов следующего поколения. С учетом быстрого роста спроса на память для серверов ИИ, Samsung намерен заранее закрепить мощности по передовой упаковке, чтобы укрепить свои позиции на рынке поставок HBM.

Группа Samsung планирует инвестировать в общей сложности 140 трлн вон в развитие высококлассной промышленности в регионе Чунгчхон. Из этой суммы Samsung Electronics выделит 56 трлн вон на строительство 5 линий HBM в Вонъяне, расширение оборудования для HBM в Тэан и модернизацию существующих производственных мощностей; Samsung Display инвестирует 67 трлн вон в строительство производственной базы для экранов следующего поколения и сверхвысоких разрешений в Ясане; Samsung Electro-Mechanics планирует инвестировать 8 трлн вон в Седжон до 2040 года для создания линии упаковки полупроводников для серверов ИИ; Samsung SDI планирует вложить 9 трлн вон в развитие бизнеса по производству батарей в Тэан.